-
KTP کرسټال
د پوټاشیم ټایټینیل ارسنیټ (KTiOAsO4) ، یا KTA کرسټال ، د آپټیکل پیرامیټریک اوسیلیشن (OPO) غوښتنلیک لپاره عالي غیر خطي اپټیکل کرسټال دی.دا غوره غیر خطي نظری او الیکټرو-اپټیکل کوفیشینټونه لري، په 2.0-5.0 µm سیمه کې د پام وړ جذب کم شوی، پراخه زاویې او د تودوخې بینډ ویت، ټیټ ډایالټریک ثابت.
-
ZnTe کرسټال
Zinc Telluride یو بائنری کیمیاوي مرکب دی چې د ZnTe فارمول سره.DIEN TECH د کرسټال محور <110> سره ZnTe کرسټال جوړوي، کوم چې یو مثالی مواد دی چې د terahertz فریکونسۍ د نبض د تضمین کولو لپاره د غیر خطي نظری پروسې له لارې د اپټیکل ریکټیفیکیشن په نوم یادیږي چې د فرعي ثانوي د لوړ شدت ر lightا نبض په کارولو سره کارول کیږي.د ZnTe عناصر DIEN TECH چمتو کوي د دوه اړخیزو عیبونو څخه پاک دي.
-
PPKTP سیستالونه
د وخت په تیریدو سره پول شوی پوټاشیم ټایټانیل فاسفیټ (PPKTP) یو فیرو الیکٹرک غیر خطي کرسټال دی چې یو ځانګړی جوړښت لري چې د نیم مرحلې میچنګ (QPM) له لارې د مؤثره فریکونسۍ تبادله اسانه کوي. -
HgGa2S4 کرسټال
د لیزر زیان حد او د تبادلې موثریت لوړ ارزښتونه د Mercury Thiogallate HgGa کارولو ته اجازه ورکوي2S4(HGS) غیر خطي کرسټالونه د فریکونسۍ دوه چنده کولو او OPO/OPA د طول موج کې له 1.0 څخه تر 10 µm پورې.دا تاسیس شو چې د CO SHG موثریت2د لیزر وړانګې د 4 mm اوږدوالی HgGa لپاره2S4عنصر تقریبا 10٪ دی (د نبض موده 30 ns، د وړانګو بریښنا کثافت 60 MW/cm2).د لوړ تبادلې موثریت او د وړانګو طول موج ټیوننګ پراخه لړۍ تمه کولو ته اجازه ورکوي چې دا مواد ممکن د AgGaS سره سیالي وکړي.2, AgGaSe2, ZnGeP2او د GaSe کرسټالونه د لوی اندازې کرسټالونو د ودې پروسې د پام وړ ستونزې سره سره.
-
تلیفون
تلیفون
-
ایمیل
ایمیل
-
واټساپ
واټساپ
-
Wechat
Wechat
-
پورته
