دلته ، د توقیف ضایع کیدو اغیز او د Nd: YAG شفاف سیرامیک لیزر فعالیت وده څیړل شوې.د 0.6 at.% Nd په کارولو سره: د YAG سیرامیک راډ د 3 ملي میتر قطر او 65 ملي میتر اوږدوالی سره ،په 1064 nm کې د توزیع کوفیینټ او جذب کوفییفیټ په ترتیب سره 0.0001 cm-1 او 0.0017 cm-1 اندازه شوي.د 808 nm اړخ پمپ شوي لیزر تجربې لپاره، د 44.9 W اوسط تولید ځواک د 26.4٪ د نظری څخه نظری تبادلې موثریت سره ترلاسه شوی، کوم چې نږدې د 1٪ واحد کرسټال سره ورته و.د 885 nm مستقیم پای پمپ شوي سکیم غوره کول، لاندې لیزر ازموینو د 62.5٪ لوړ نظری موثریت ښودلی او د 144.8 W اعظمي تولید ځواک د 231.5 W جذب شوي پمپ ځواک کې ترلاسه شوی و. دا تر دې دمه ترټولو لوړ نظری تبادله موثریت و. په Nd کې: زموږ پوهې ته د YAG سیرامیک لیزر.دا ثابتوي چې لوړ ځواک او د لوړ موثریت لیزر محصول د لوړ نظری کیفیت Nd: YAG سیرامیک راډ لخوا د 885 nm مستقیم پمپ کولو ټیکنالوژۍ سره تولید کیدی شي.
دا کاغذ د لوړ نبض انرژی، د تنګ کرښې پراخوالی، منځنی انفراریډ (MIR) لیزرات 6.45 µm وړاندې کوي، د BaGa4Se7 (BGSe) کریسټال نظری پیرامیټریک اوسیلیټر (OPO) پر بنسټ چې د 1.064 µm لیزر لخوا پمپ شوی.په 6.45 µm کې د نبض اعظمي انرژي تر 1.23 mJ پورې وه، د نبض پلنوالی 24.3 ns او د تکرار کچه 10 Hz، د 2.1% د نظری – نظری تبادلې موثریت سره مطابقت لري، د پمپ رڼا څخه 1.064 µidler.4m.4m رڼا.په عین حال کې، موږ د 1.064 µm لیزر پواسطه پمپ شوي BGSe کرسټال کې د OPO مرحلې سره سمون خوري په دقیقه توګه محاسبه کړه، او د شمیرې سمولو سیسټم ترسره شو ترڅو د 6.5 µm 4 په څیر د ان پټ-آؤټ پټ ځانګړتیا تحلیل کړي. د تبادلې موثریت باندې د کرسټال اوږدوالي اغیزه.د اندازه کولو او سمولو ترمنځ ښه موافقه وموندل شوه.زموږ د غوره پوهې لپاره، دا په 6.45 µm کې د نبض ترټولو لوړه انرژي ده، په BGSe-OPO کې د هر ډول جامد حالت MIR ns لیزر لپاره د ساده 1.064 µm oscillator لخوا پمپ شوي تر ټولو محدود کرښې سره.دا ساده او کمپیکٹ 6.45 µm OPO سیسټم، د لوړ نبض انرژی او تنګ لین ویډت سره، کولی شي د نسجونو د پرې کولو اړتیاوې پوره کړي او د نسجونو کمولو دقت ته وده ورکړي.
په دې لیکنه کې، موږ د لینګسایټ (LGS) الکترو آپټیک Ho:YAG cavity-dumped لیزر په ډاګه کوو چې په Q-switched لیزرونو کې د نبض دورې لاسته راوړنې انحصار فشاروي.د 7.2 ns دوامداره نبض موده د 100 kHz په تکرار نرخ کې ترلاسه شوې.د LGS کرسټال څخه ګټه اخیستنه د پام وړ ریورس پیزو الیکټریک حلقه اغیزه نلري او د تودوخې لخوا هڅول شوي ډیپولرائزیشن ، د نبض مستحکم ریل د 43 W په تولید ځواک کې ترلاسه شو. د لومړي ځل لپاره ، په مینځني انفراریډ کې د جوف ډمپ شوي لیزر کارول IR) ZnGeP2 (ZGP) آپټیکل پیرامیټریک اوسیلیټر (OPO) احساس شوی ، د لوړ ځواک مینځني انفراریډ ZGP OPOs لپاره د لوړ تکرار نرخونو او لنډ نانو ثانیه نبض وختونو ترلاسه کولو لپاره د باور وړ لاره چمتو کوي.د اوسط تولید بریښنا 15 W وه، د 4.9 ns د نبض دوره او د 100 kHz د تکرار نرخ سره مطابقت لري.
موږ د لومړي ځل لپاره د BGSe غیر خطي کرسټال په کارولو سره د منځني انفراریډ octave-spanning نسل وښیو.A Cr:ZnS لیزر سیسټم چې د 28-fs نبضونه د 2.4 µm مرکزي طول موج کې وړاندې کوي د پمپ سرچینې په توګه کارول کیږي، کوم چې د BGSe کرسټال دننه د انټرا - نبض توپیر فریکونسۍ تولید پرمخ وړي.د پایلې په توګه، د 6 څخه تر 18 µm پورې یو همغږي براډبنډ منځنی انفراریډ تسلسل ترلاسه شوی.دا ښیې چې د BGSe کرسټال د براډ بانډ لپاره امید لرونکی مواد دی ، د فیمټوسیکنډ پمپ سرچینو سره د فریکونسۍ ښکته تبادلې له لارې د څو دورې مینځني انفراریډ نسل لپاره.
1.53 W ټول-سلیډ-State nanosecond pulsed mid-infrared لیزر په 6.45 µm کې
