وینډوز

سیلیکون یو مونو کرسټال دی چې په ابتدايي توګه په نیمه کنډکټر کې کارول کیږي او د 1.2μm څخه تر 6μm IR سیمو کې غیر جذب کیږي.دا دلته د IR سیمې غوښتنلیکونو لپاره د نظری برخې په توګه کارول کیږي.
سیلیکون د نظری کړکۍ په توګه په عمده توګه د 3 څخه تر 5 مایکرون بانډ کې او د نظری فلټرونو تولید لپاره د سبسټریټ په توګه کارول کیږي.د پالش شوي مخونو سره د سیلیکون لوی بلاکونه هم د فزیک تجربو کې د نیوټرون هدفونو په توګه کارول کیږي.
سیلیکون د Czochralski د کشولو تخنیکونو (CZ) لخوا کرل کیږي او یو څه اکسیجن لري چې په 9 مایکرون کې د جذب بینډ رامینځته کوي.د دې څخه د مخنیوي لپاره، سیلیکون د فلوټ زون (FZ) پروسې لخوا چمتو کیدی شي.آپټیکل سیلیکون په عمومي ډول د 10 مایکرون څخه پورته د غوره لیږد لپاره په روښانه ډول ډوپ شوی (5 څخه تر 40 ohm سانتي متره).سیلیکون د 30 څخه تر 100 مایکرون نور پاس بانډ لري کوم چې یوازې په خورا لوړ مقاومت لرونکي موادو کې مؤثره دی.ډوپینګ معمولا بورون (p-type) او فاسفورس (n-type) دی.
غوښتنلیک:
• د 1.2 څخه تر 7 μm NIR غوښتنلیکونو لپاره غوره
• براډ بانډ له 3 څخه تر 12 μm ضد انعکاس کوٹنگ
• د وزن حساس غوښتنلیکونو لپاره مثالی
ځانګړنه:
• دا سیلیکون کړکۍ په 1µm سیمه کې یا لاندې نه لیږدوي، له همدې امله د دې اصلي غوښتنلیک په IR سیمو کې دی.
• د لوړ حرارتي چالکتیا له امله، دا د لوړ ځواک لیزر عکس په توګه د کارولو لپاره مناسب دی
▶ د سیلیکون کړکۍ روښانه فلزي سطح لري؛دا منعکس کوي او جذبوي مګر په لیدلو سیمو کې نه لیږدوي.
▶ د سیلیکون کړکۍ د سطحې انعکاس د لیږد لیږد 53٪ له لاسه ورکولو پایله لري.(د اندازه شوي ډاټا 1 سطحي انعکاس په 27٪ کې)