محصولات

GaSe کرسټال

Gallium Selenide (GaSe) غیر خطي نظری واحد کرسټال، د لوی غیر خطي کوفیسینټ، د لوړ زیان حد او د پراخ شفافیت سره یوځای کول.دا د IR په مینځ کې د SHG لپاره خورا مناسب مواد دی.
ZGP(ZnGeP2) کرسټالونه

ZGP کرسټالونه چې لوی غیر خطي کوفیشینټونه لري (d36=75pm/V)، پراخ انفراریډ روڼتیا سلسله (0.75-12μm)، لوړ حرارتي چالکتیا (0.35W/(cm·K))، د لیزر د زیان لوړ حد (2-5J/cm2) او د ښه ماشین کولو ملکیت، ZnGeP2 کرسټال د انفراریډ غیر خطي نظری کرسټالونو پاچا بلل کیده او لاهم د لوړ ځواک، د وړ وړ انفراریډ لیزر تولید لپاره د فریکونسۍ تبادلې غوره مواد دی.موږ کولی شو د لوړ نظری کیفیت او لوی قطر ZGP کرسټالونه د خورا ټیټ جذب کوفیینټ α <0.05 cm-1 سره (په پمپ طول موج 2.0-2.1 µm کې) وړاندې کړو ، کوم چې د OPO یا OPA له لارې د لوړ موثریت سره د مینځني انفراریډ تون ایبل لیزر رامینځته کولو لپاره کارول کیدی شي. پروسې
AGSe(AgGaSe2) کرسټالونه

AGSeAgGaSe2 کرسټالونه په 0.73 او 18 µm کې د بډ کنډکونه لري.د دې ګټور لیږد رینج (0.9–16 µm) او د پراخه مرحلې مطابقت وړتیا د OPO غوښتنلیکونو لپاره عالي ظرفیت چمتو کوي کله چې د مختلف مختلف لیزرونو لخوا پمپ کیږي.د 2.5-12 µm دننه ټوننګ ترلاسه شوی کله چې د Ho:YLF لیزر په 2.05 µm کې پمپ کول؛همدارنګه د 1.9–5.5 µm دننه د غیر مهم پړاو میچنګ (NCPM) عملیات کله چې په 1.4–1.55 µm کې پمپ کول.AgGaSe2 (AgGaSe2) د انفراریډ CO2 لیزر وړانګو لپاره د موثر فریکونسۍ دوه چنده کولو کرسټال ښودل شوی.
AGS(AgGaS2) کرسټالونه

AGS له 0.50 څخه تر 13.2 µm پورې شفاف دی.که څه هم د دې غیر خطي آپټیکل کوفینټ د ذکر شوي انفراریډ کرسټالونو په مینځ کې ترټولو ټیټ دی ، د 550 nm لوړ لنډ طول موج شفافیت څنډه د Nd:YAG لیزر لخوا پمپ شوي OPOs کې کارول کیږي.په ډیری توپیرونو کې د ډیایډ سره د فریکونسۍ مخلوط تجربې، Ti:Sapphire، Nd:YAG او IR ډای لیزرونه چې د 3-12 µm رینج پوښي؛د مستقیم انفراریډ ضد اندازه کولو سیسټمونو کې، او د CO2 لیزر SHG لپاره.پتلی AgGaS2 (AGS) کرسټال پلیټونه د منځنی IR رینج کې د الټرا لنډ نبض تولید لپاره د توپیر فریکونسۍ نسل لخوا د NIR طول موج نبض ګمارلو لپاره مشهور دي.
BGSe(BaGa4Se7) کرسټالونه

د BGSe (BaGa4Se7) لوړ کیفیت لرونکي کرسټالونه د چالکوګینایډ مرکب BaGa4S7 سیلینایډ انالوګ دی، چې د سینټریک اورتورومبیک جوړښت یې په 1983 کې پیژندل شوی او د IR NLO اغیز په 2009 کې راپور شوی، یو نوی جوړ شوی IR NLO کرسټال دی.دا د Bridgman-Stockbarger تخنیک له لارې ترلاسه شوی.دا کرسټال د 0.47-18 μm په پراخه لړۍ کې لوړ لیږد څرګندوي، پرته له دې چې د جذب چوکۍ شاوخوا 15 μm کې وي.
BGGSe(BaGa2GeSe6) کرسټالونه

د BaGa2GeSe6 کرسټال د لوړ نظری زیان حد (110 MW/cm2)، د پراخه طیف شفافیت سلسله (له 0.5 څخه تر 18 μm پورې) او لوړ غیر خطي (d11 = 66 ± 15 pm/V) لري، چې دا کرسټال د دې لپاره خورا زړه راښکونکی کوي. د لیزر وړانګو فریکوینسي تبادله د مینځنۍ IR رینج (یا دننه) ته.